宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色

金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性，并在此基础上构建缺陷结构模型，揭示光致变色机理。