描述
开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787113085650丛书名: 铁路职业教育铁道部规划教材
《模拟电子技术》主要包括:基本知识、放大电路基本理论与分析方法、放大器功能应用电路分析等内容。其中,基本知识包括半导体的基础知识及常用5类半导体器件介绍(晶体二极管、晶体三极管、晶闸管、场效应管、集成运算放大器);放大电路基本理论与分析方法主要介绍放大器的基本组成、主要性能指标及两种分析方法;放大器功能应用电路主要分析:集成运算放大电路、正弦波振荡电路、低频功率放大电路、直流稳压电源等。
《模拟电子技术》主要作为高等职业学院和中专学校铁路信号专业《模拟电子技术》课程的通用教材,也可以作为高职高专及中专电子信息、电气自动化、通信工程、机电一体化、汽车电子等的专业技术基础课教材,还可供从事电子技术的工程技术人员自学与参考使用。(带*号的内容为中专学生的选学内容,在书中用楷体编排)
第1章 晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.2 晶体二极管
1.3 硅稳压二极管
1.4 晶体三极管
1.5 晶闸管
1.6 场效应管
本章小结
复习思考题
第2章 放大器
2.1 放大器的基本概念
2.2 放大器的基本分析方法
2.3 负反馈放大器
2.4 多级放大电路
2.5 集成运算放大器
本章小结
复习思考题
第3章 低频功率放大电路
3.1 低频功率放大电路概述
3.2 乙类推挽功率放大电路
3.3 集成功率放大电路
本章小结
复习思考题
第4章 正弦波振荡器
4.1 正弦波振荡器的基本概念
4.2 LC振荡器
4.3 RC正弦振荡器
4.4 石英晶体振荡器
本章小结
复习思考题
第5章 直流稳压电源
5.1 概述
5.2 单相整流电路
5.3 滤波电路
5.4 硅稳压管并联型稳压电路
5.5 晶体管串联型稳压电路
5.6 集成稳压器
5.7 开关型稳压电源
本章小结
复习思考题
附录一 常用半导体器件的命名方法及主要参数
附录二 部分硅整流稳压二极管的主要参数
附录三 常用符号说明
参考文献
本书为铁路职业教育铁道部规划教材,是根据铁路职业教育“铁道信号”专业教学计划“模拟电子技术”课程教学大纲编写的。
本书在编写过程中始终注意体现职业教育的特点,以现代电子技术的基本知识与基本理论为主线,充分体现模拟电子技术的应用性,克服了以往学生学完本课程后不知其用处的缺陷,理论分析主要体现应用之目的,删繁就简,遵循“够用”、“实用”的基本原则,增强教学的实践性。在教材内容的安排上,以岗位需求和培养学生独立分析解决问题的能力为目的。每章都有小结,并配有练习题,方便学生练习,并培养学生独立自学、开拓视野的能力。
《模拟电子技术》是铁路信号专业的一门技术基础课。主要包括:基本知识、放大电路基本理论与分析方法、放大器功能应用电路分析三方面内容。其中,基本知识包括半导体的基础知识及常用5类半导体器件介绍(晶体二极管、晶体三极管、晶闸管、场效应管、集成运算放大器);放大电路基本理论与分析方法主要介绍放大器的基本组成、主要性能指标及两种分析方法;放大器功能应用电路主要分析包括:集成运算放大电路、正弦波振荡电路、低频功率放大电路、直流稳压电源等。通过本课程的学习,学生能掌握模拟电子技术的基本理论、基本分析方法、基本测量技能,提高学生分析问题、解决问题的能力,拓宽知识面,为今后的学习、创新和科学研究工作打下扎实的理论基础和实践基础。
本书主要作为高等职业学院和中专学校铁路信号专业《模拟电子技术》课程的通用教材,也可以作为高职高专和中专学校电子信息、电气自动化、通信工程、机电一体化、汽车电子等的专业技术基础课选用教材,还可供从事电子技术的工程技术人员自学与参考使用。作为高职和中职的通用教材,高职和中职课程内容的主要区别在于:带*号的内容为中职课程选修的内容,在书中用楷体编排。
本书由武汉铁路职业技术学院王彦副教授担任主编,南京铁道职业技术学院的戚磊担任副主编。第1章、第5章分别由华东交通大学职业技术学院的许期英和刘敏军两位老师编写,第2章、第4章分别由南京铁道职业技术学院的戚磊和何莉两位老师编写,王彦负责编写第3章及本书的统稿工作。
因编者水平所限,书中难免有不妥和疏漏之处,恳请广大读者批评指正。
自然界中的各种物质按其导电性能的不同可划分为:导体、半导体和绝缘体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,它具有独特的掺杂性、热敏性和光敏性。自然界中半导体材料有:(1)元素半导体,如硅(si)、锗(Ge)等;(2)化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;(3)掺杂材料,如硼(B)、磷(P)等。其中,硅和锗是目前用得多的半导体材料,由于硅和锗都是以晶体结构存在于自然界中,因此半导体二极管、三极管常称作晶体二极管和晶体三极管。
1.本征半导体
完全纯净的、结构完整的半导体晶体就是本征半导体。其纯度要达到99.99%,它在物理结构上呈单晶体形态。
(1)本征半导体的共价键结构
由化学元素周期表可知,硅和锗都是四价元素,即它们的原子外层轨道上都有四个电子(称之为价电子),它们的空间排列模型如图1-1(a)所示,其核外电子的共价键结构平面示意图如图1-1(b)所示。
(2)本征半导体的导电特性
在T=0K和没有外界激发时,本征半导体中的每一个原子的外围电子被共价键所束缚,不能自由移动。这样,本征半导体中虽然有大量的价电子,但没有能够自由移动的电子,此时半导体是不能导电的。当温度升高或受光照射时,共价键中的价电子会获得足够能量,从共价键中挣脱出来,变成自由电子;同时在原共价键的相应位置上流下一个空位,这个空位称为空穴,如图1-2所示。显然,电子和空穴是成对出现的,所以称之为电子一空穴对,在本征半导体中电子和空穴的数目总是相等的。我们把在热或光的作用下,本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚产生电子-空穴对的现象,称为本征激发。
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