信息功能材料手册（中）

《信息功能材料手册》涉及信息的获取、传输、存储、显示和处理等主要技术用的材料与器件，对各种材料的结构、性能、制备工艺以及电子器件的制造和应用都进行了详细的介绍。本书不仅全面系统地反映了国外信息功能材料研究领域的现状、*进展和发展趋势，而且也特别注重我国在该领域的研发和产业化方面取得的成果，力图使其具有实用性、先进性和权威性。本书的出版，将有力推动我国信息技术和信息产业的健康发展。
本书主要供从事信息功能材料的科研工作者和工程技术人员查阅使用。

第7篇 半导体低维结构和量子器件
第1章 概述
第2章 半导体低维结构物理
第3章 半导体低维结构材料制备技术
第4章 半导体低维结构材料的评价技术
第5章 半导体高频、高速微电子器件及应用
第6章 半导体量子阱激光器
第7章 新型半导体量子器件
第8篇 存储材料
第1章 概述
第2章 可录光盘存储材料
第3章 相变光存储材料
第4章 光学全息存储材料
第5章 近场光存储材料
第6章 电子俘获光存储材料
第7章 光子选通光存储材料
第8章 双光子吸收光存储材料
第9章 多波长多阶光存储材料
第10章 磁性存储材料
第11章 磁头材料
第12章 磁光光盘存储材料
第13章 光磁混合存储及其材料
第14章 非易失性存储材料
第9篇 显示材料
第1章 荧光粉显示技术
第2章 液晶材料和液晶显示技术
第3章 有机电致发光显示器件和材料
第4章 无机电致发光和电子纸显示技术
第10篇 通信光纤材料及其工艺
第11篇 全固态激光器及相关材料
第12篇 稀土磁性材料与自旋电子材料

第7篇 半导体低维结构和量子器件
第1章 概述
3 半导体低维结构的制备技术
目前成熟的半导体低维结构材料制备技术主要包括分子束外延（MBE）和金属有机化学气相外延（MOCVE）等外延生长技术，先进的外延生长技术不但可以制备量子阱和超晶格材料，还可以通过应变自组织生长方法制备高性能的量子点和量子线结构材料。另外在半导体量子点和量子线结构制备方面，还可以采用半导体微结构材料生长和精细加工相结合的办法来制备。下面对这些制备技术进行一些简单介绍。
3.1 分子束外延（MBE）技术
MBE技术本质上是在超高真空条件下，对分子或原子束源和衬底温度加以精密控制的薄膜蒸发技术。MBE设备主要由超高真空生长系统，生长过程的控制系统和监测、分析仪器等组成。通常认为，MBE材料生长机理与建立在热力学平衡条件下的液相外延（LPE）等技术不同，就是说分子或原子束在衬底上发生的过程是受动力学支配的。但实验研究结果表明，MBE生长过程实际上是一个具有热力学和动力学同时并存、相互关联的过程，只有在由分子束源产生的分子（原子）束不受碰撞地直接喷射到受热的洁净衬底表面，在表面上迁移、吸附或通过反射或脱附过程离开表面，而在衬底表面与气态分子之间建立一个准平衡区，即使晶体生长过程接近于热力学平衡条件，才能生长出高质量的材料。
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