描述
开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787312022333丛书名: 当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书
内容简介
绝缘体上硅（silicon on insulator，SOI）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括：SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（silicon germanium on insulator，SGOI）新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。
本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。
本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。
目 录
SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
SOI技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si
Overview of SOI materials technology in China
SOI新材料的制备科学
以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料
硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料
多孔硅外延层转移技术制备SOI材料
ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构
SOI新结构——SOI研究的新动向
Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization·
Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut
Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon
Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer
SOI材料与器件特有的物理效应
S0I MOSFET浮体效应研究
SOI MOSFET的自加热效应研究
S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing
……
SGOI新结构和应变硅的制备科学
SOI技术的若干应用研究
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
SOI技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
Fabrication of SiGe-on-insulator and applications for strained Si
Overview of SOI materials technology in China
SOI新材料的制备科学
以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料
硅中注H+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以AlN为绝缘埋层的新结构SOAN材料
多孔硅外延层转移技术制备SOI材料
ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构
SOI新结构——SOI研究的新动向
Fabrication of silicon．on．AlN novel structure and its residual strain characterization·
Buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by Smart-cut
Void—free low-temperature silicon direct—bonding technique using plasma activation
Microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaxial silicon layers fabricated on P+porous silicon
Formation of silicon-on-diamond by direct bonding of plasma-synthesized diamond-like carbon to silicon
Thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition in silicon on insulator
Study of SOI substrates incorporated with buried MoSiz layer
SOI材料与器件特有的物理效应
S0I MOSFET浮体效应研究
SOI MOSFET的自加热效应研究
S0I器件的辐射效应及其在抗辐射电子学方面的应用进展
Evolution of hydrogen and helium CO-implanted single-crystal silicon during annealing
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SGOI新结构和应变硅的制备科学
SOI技术的若干应用研究
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SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
1 纳米技术时代的高端衬底材料
集成电路的特征尺寸在1999年开始缩小到亚100纳米，英特尔（Intel）在2006年6月实现了90纳米与65纳米的“制造接替”，65纳米技术代的微处理器（CPU）由物理栅长仅为35纳米的近三亿只金属一氧化膜一半导体场效应晶体管（MOSFET）组成，实现了在芯片生产方面的里程碑式的跨越。Intel于2007年1月底发布了其45纳米技术时代MOSFET的几项关键技术的解决方案，包括采用全新的高介电常数栅介质和金属栅极材料；2007年10月Intel启动支持45nm工艺的首个300 mm晶圆量产工厂。根据“国际半导体技术发展路图（ITRS）”的预测，摩尔定律（moore’S law）（即单只晶体管所占面积每18个月缩小一倍）所预测的高速发展至少将持续到2020年，那时的晶体管物理栅长将是6纳米！在6年后的2013年，集成电路将进入32纳米技术时代，并于2016年进入22纳米技术时代。随着芯片集成度的进一步提高，即器件特征尺寸的进一步缩小将会面临大量来自传统工作模式、传统材料乃至传统器件物理基础等方面的问题，因此必须在器件物理、材料、器件结构、关键工艺、集成技术等基础研究领域寻求突破。
……
纳米技术时代的高端硅基材料——SOI、sSOI和GOI
1 纳米技术时代的高端衬底材料
集成电路的特征尺寸在1999年开始缩小到亚100纳米，英特尔（Intel）在2006年6月实现了90纳米与65纳米的“制造接替”，65纳米技术代的微处理器（CPU）由物理栅长仅为35纳米的近三亿只金属一氧化膜一半导体场效应晶体管（MOSFET）组成，实现了在芯片生产方面的里程碑式的跨越。Intel于2007年1月底发布了其45纳米技术时代MOSFET的几项关键技术的解决方案，包括采用全新的高介电常数栅介质和金属栅极材料；2007年10月Intel启动支持45nm工艺的首个300 mm晶圆量产工厂。根据“国际半导体技术发展路图（ITRS）”的预测，摩尔定律（moore’S law）（即单只晶体管所占面积每18个月缩小一倍）所预测的高速发展至少将持续到2020年，那时的晶体管物理栅长将是6纳米！在6年后的2013年，集成电路将进入32纳米技术时代，并于2016年进入22纳米技术时代。随着芯片集成度的进一步提高，即器件特征尺寸的进一步缩小将会面临大量来自传统工作模式、传统材料乃至传统器件物理基础等方面的问题，因此必须在器件物理、材料、器件结构、关键工艺、集成技术等基础研究领域寻求突破。
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