描述
开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装-胶订是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787111755807
编辑推荐
1.可读性高——本书全彩印刷，包含大量知名芯片产品图解
2.内容好——本书中包含了苹果手表的芯片、三星手表芯片、台积电的芯片、日月光的芯片的彩色图片案例，并且分别论述了它们各自的技术路线和技术特点，而且还以此介绍了目前主流的和正在发展的芯片封装技术的技术对比、成本对比，非常具有参考价值。
3.作者强——本书的原作者贝思是国际微电子组装与封装协会（IMAPS）的原执行主席，是国际知名的封装专家和学术带头人。
4.译者好——中国电科43所牵头翻译
2.内容好——本书中包含了苹果手表的芯片、三星手表芯片、台积电的芯片、日月光的芯片的彩色图片案例，并且分别论述了它们各自的技术路线和技术特点，而且还以此介绍了目前主流的和正在发展的芯片封装技术的技术对比、成本对比，非常具有参考价值。
3.作者强——本书的原作者贝思是国际微电子组装与封装协会（IMAPS）的原执行主席，是国际知名的封装专家和学术带头人。
4.译者好——中国电科43所牵头翻译
内容简介
《扇出晶圆级封装、板级封装及嵌入技术》一书由原国际微电子组装与封装协会（IMAPS）主席贝思·凯瑟（Beth Keser）博士编写，中国电科第四十三研究所组织翻译。
《扇出晶圆级封装、板级封装及嵌入技术》从多种视角对各种扇出和嵌入式芯片技术进行阐述，首先从市场角度对扇出和晶圆级封装的技术趋势进行分析，然后从成本角度对这些解决方案进行研究，讨论了由台积电、Deca、日月光等公司创建的Advanced应用领域的封装类型。本书还分析了新技术和现有技术的IP环境和成本比较，通过对新型封装半导体IDM公司（如英特尔、恩智浦、三星等）的技术开发和解决方案的分析，阐述了各类半导体代工厂和制造厂的半导体需求，最后对学术界的前沿研究进展进行了归纳总结。
《扇出晶圆级封装、板级封装及嵌入技术》从多种视角对各种扇出和嵌入式芯片技术进行阐述，首先从市场角度对扇出和晶圆级封装的技术趋势进行分析，然后从成本角度对这些解决方案进行研究，讨论了由台积电、Deca、日月光等公司创建的Advanced应用领域的封装类型。本书还分析了新技术和现有技术的IP环境和成本比较，通过对新型封装半导体IDM公司（如英特尔、恩智浦、三星等）的技术开发和解决方案的分析，阐述了各类半导体代工厂和制造厂的半导体需求，最后对学术界的前沿研究进展进行了归纳总结。
目 录
目录
中文版序
译者序
原书致谢
原书前言
第1章 扇出晶圆级和板级封装的市场和技术趋势
1.1 扇出封装简介
1.1.1 历史背景
1.1.2 关键驱动力：为什么是扇出封装
1.1.3 扇出晶圆级封装（FO-WLP）与扇出板级封装（FO-PLP）
1.1.4 面向异构集成的扇出封装发展趋势
1.2 市场概况和应用
1.2.1扇出封装定义
1.2.2 市场划分：Core FO、HD FO 和 UHD FO的对比
1.2.3 市场价值：收入和销量预测
1.2.4 当前和未来的目标市场
1.2.5 扇出封装的应用
1.3 技术趋势和供应链
1.3.1 扇出封装技术路线图
1.3.2 制造商的扇出封装技术
1.3.3 供应链概述
1.3.4 当前的供应链动态分析
1.4扇出板级封装(FO-PLP)
1.4.1 FO-PLP的驱动力和面临的挑战
1.4.2 FO-PLP的市场和应用
1.4.3 FO-PLP供应商概述
1.5系统设备拆解
1.5.1 带有扇出封装的终端系统拆解图
1.5.2 雷达IC：eWLB与RCP
1.5.3 成本比较
1.6结论
参考文献
第2章FO-WLP（扇出型晶圆级封装技术）与其它技术的成本比较
2.1简介
2.2基于活动的成本模型
2.3 FO-WLP变化的成本分析
2.3.1工艺段的成本
2.3.2 FO-WLP的不同工艺种类
2.4 FO-WLP与引线键合和倒装芯片的成本比较
2.5堆叠式封装(PoP)的成本分析
2.6结论
参考文献
第3章 扇出集成（InFO）技术在移动计算上的应用
3.1 引言
3.2晶圆级扇入封装
3.2.1介电层和再分布层（RDL）
3.2.2 凸点下金属化 (UBM)
3.2.3 可靠性与挑战
3.2.4 大芯片WLP
3.3晶圆级扇出系统集成
3.3.1 芯片先置与芯片后置
3.3.2 塑封与平坦化
3.3.3 再分布层（RDL）
3.3.4 通孔与垂直互连
3.4 集成无源元件（IPD）
3.4.1 高Q值的三维螺线圈电感
3.4.2 天线集成封装（AiP）和5G通信
3.4.3 用于毫米波系统集成的无源元件
3.5 功率、性能、外形尺寸和成本
3.5.1 信号和电源完整性
3.5.2 散热和热性能
3.5.3 外形和厚度
3.5.4 市场和周期成本
3.6 本章小结
参考文献
第4章 集成扇出 （InFO） 在高性能计算中的应用
4.1 引言
4.2 3D封装和片上集成系统（SoIC）
4.3 CoWoS-R, CoWoS-S和CoWoS-L
4.4 InFO-L 和 InFO-R
4.5 超高密度互连的InFO封装（InFO-UHD）
4.6多堆叠系统集成 （MUST） 和Must-in-Must（MiM）
4.7 板载InFO技术(InFO-oS)和局部硅互连InFO技术(InFO-L)
4.8 板载存储芯片的InFO 技术(InFO-MS)
4.9 3D多硅InFO (InFO-3DMS) and CoWoS-L
4.10 晶圆上InFO系统 (InFO_SoW)
4.11 集成板上系统（SoIS）
4.12 沉浸式内存计算（ImMC）
4.13本章小结
参考文献
第5章 用于高密度集成的自适应图形和M-系列技术
5.1 技术描述
5.2 应用与市场
5.3基本封装结构
5.4 制造工艺流程和物料清单
5.5设计特性和系统集成能力
5.6 自适应图形
5.7制造幅面和可扩展性
5.8 封装性能
5.9 鲁棒性和可靠性数据
5.10 电测试注意事项
5.11本章小结
参考文献
第6章 基于面板级封装的异构集成
6.1引言
6.2扇出板级封装
6.3 板级封装的经济效益分析
6.4本章小结
参考文献
第7章 面向高功率模块及SiP模块的新一代芯片嵌入技术
7.1 技术背景
7.2封装基础结构
7.3应用与市场（HPC、SiP）
7.4制造工艺和BOM
7.5设计特点
7.6系统集成能力
7.7封装性能
7.8 鲁棒性与可靠性数据
7.9电测试的考虑因素
7.10 本章小结
参考文献
第8章 先进基板上的芯片集成技术(包括嵌入和空腔)
8.1 引言
8.2通过使用嵌入式芯片封装(ECP?)实现异构集成
8.3 嵌入工艺
8.4 器件选择
8.5 设计技术
8.6 测试
8.7 ECP技术的应用
8.8 利用PCB中的空腔进行异构集成
8.9 封装性能、稳健性和可靠性
8.10 结论
参考文献
第9章 先进的嵌入式布线基板—— 一种灵活的扇出晶圆级封装的替代方案
9.1 技术介绍
9.1.1 C2iM技术
9.1.2 C2iM-PLP技术
9.2应用和市场
9.3封装的基本结构
9.3.1 C2iM-PLP技术经验
9.3.2 C2iM-PLP与引线键合方形扁平无引脚（WB-QFN）封装和倒装芯片QFN（FC-QFN）封装相比的优缺点
9.3.3 C2iM-PLP与WLP和FO-WLP相比的优缺点
9.3.4 未来的应用
9.3.5 C2iM-PLP的局限性
9.4 制造工艺流程及物料清单
9.5 设计规范
9.5.1 封装设计规范
9.5.2 芯片UBM设计规范
9.5.3 芯片排列设计规范
9.5.4 铜柱设计规范
9.6 系统集成能力
9.7 生产规格和可拓展性
9.8 封装性能
9.8.1 电性能
9.8.2 热性能
9.9 鲁棒性和可靠性数据
9.9.1 通过汽车可靠性认证
9.9.2 通过板级可靠性验证
9.10 电测试的思考
9.11 本章小结
第10章 采用扇出晶圆级封装的柔性混合电子
10.1引言
10.2封装的最新发展趋势
10.3?使用FO-WLP的FHE——FlexTrateTM
10.4?FlexTrateTM的应用
致谢
参考文献
第11章 基于2.5D和3D异构集成的多芯片集成电路技术：电和热设计考量及案例
11.1引言
11.2 异构互连拼接技术（HIST）
11.3 基于桥芯片2.5D集成技术的热评估
11.3.1 2.5D和3D的典型架构
11.3.2 热建模和性能
11.3.3 不同2.5D集成方案的热性能对比
11.3.4 2.5D和3D集成之间的热性能对比
11.3.5 基于桥接芯片2.5D集成的热研究
11.3.6 多片式3D集成
11.4 高功率
中文版序
译者序
原书致谢
原书前言
第1章 扇出晶圆级和板级封装的市场和技术趋势
1.1 扇出封装简介
1.1.1 历史背景
1.1.2 关键驱动力：为什么是扇出封装
1.1.3 扇出晶圆级封装（FO-WLP）与扇出板级封装（FO-PLP）
1.1.4 面向异构集成的扇出封装发展趋势
1.2 市场概况和应用
1.2.1扇出封装定义
1.2.2 市场划分：Core FO、HD FO 和 UHD FO的对比
1.2.3 市场价值：收入和销量预测
1.2.4 当前和未来的目标市场
1.2.5 扇出封装的应用
1.3 技术趋势和供应链
1.3.1 扇出封装技术路线图
1.3.2 制造商的扇出封装技术
1.3.3 供应链概述
1.3.4 当前的供应链动态分析
1.4扇出板级封装(FO-PLP)
1.4.1 FO-PLP的驱动力和面临的挑战
1.4.2 FO-PLP的市场和应用
1.4.3 FO-PLP供应商概述
1.5系统设备拆解
1.5.1 带有扇出封装的终端系统拆解图
1.5.2 雷达IC：eWLB与RCP
1.5.3 成本比较
1.6结论
参考文献
第2章FO-WLP（扇出型晶圆级封装技术）与其它技术的成本比较
2.1简介
2.2基于活动的成本模型
2.3 FO-WLP变化的成本分析
2.3.1工艺段的成本
2.3.2 FO-WLP的不同工艺种类
2.4 FO-WLP与引线键合和倒装芯片的成本比较
2.5堆叠式封装(PoP)的成本分析
2.6结论
参考文献
第3章 扇出集成（InFO）技术在移动计算上的应用
3.1 引言
3.2晶圆级扇入封装
3.2.1介电层和再分布层（RDL）
3.2.2 凸点下金属化 (UBM)
3.2.3 可靠性与挑战
3.2.4 大芯片WLP
3.3晶圆级扇出系统集成
3.3.1 芯片先置与芯片后置
3.3.2 塑封与平坦化
3.3.3 再分布层（RDL）
3.3.4 通孔与垂直互连
3.4 集成无源元件（IPD）
3.4.1 高Q值的三维螺线圈电感
3.4.2 天线集成封装（AiP）和5G通信
3.4.3 用于毫米波系统集成的无源元件
3.5 功率、性能、外形尺寸和成本
3.5.1 信号和电源完整性
3.5.2 散热和热性能
3.5.3 外形和厚度
3.5.4 市场和周期成本
3.6 本章小结
参考文献
第4章 集成扇出 （InFO） 在高性能计算中的应用
4.1 引言
4.2 3D封装和片上集成系统（SoIC）
4.3 CoWoS-R, CoWoS-S和CoWoS-L
4.4 InFO-L 和 InFO-R
4.5 超高密度互连的InFO封装（InFO-UHD）
4.6多堆叠系统集成 （MUST） 和Must-in-Must（MiM）
4.7 板载InFO技术(InFO-oS)和局部硅互连InFO技术(InFO-L)
4.8 板载存储芯片的InFO 技术(InFO-MS)
4.9 3D多硅InFO (InFO-3DMS) and CoWoS-L
4.10 晶圆上InFO系统 (InFO_SoW)
4.11 集成板上系统（SoIS）
4.12 沉浸式内存计算（ImMC）
4.13本章小结
参考文献
第5章 用于高密度集成的自适应图形和M-系列技术
5.1 技术描述
5.2 应用与市场
5.3基本封装结构
5.4 制造工艺流程和物料清单
5.5设计特性和系统集成能力
5.6 自适应图形
5.7制造幅面和可扩展性
5.8 封装性能
5.9 鲁棒性和可靠性数据
5.10 电测试注意事项
5.11本章小结
参考文献
第6章 基于面板级封装的异构集成
6.1引言
6.2扇出板级封装
6.3 板级封装的经济效益分析
6.4本章小结
参考文献
第7章 面向高功率模块及SiP模块的新一代芯片嵌入技术
7.1 技术背景
7.2封装基础结构
7.3应用与市场（HPC、SiP）
7.4制造工艺和BOM
7.5设计特点
7.6系统集成能力
7.7封装性能
7.8 鲁棒性与可靠性数据
7.9电测试的考虑因素
7.10 本章小结
参考文献
第8章 先进基板上的芯片集成技术(包括嵌入和空腔)
8.1 引言
8.2通过使用嵌入式芯片封装(ECP?)实现异构集成
8.3 嵌入工艺
8.4 器件选择
8.5 设计技术
8.6 测试
8.7 ECP技术的应用
8.8 利用PCB中的空腔进行异构集成
8.9 封装性能、稳健性和可靠性
8.10 结论
参考文献
第9章 先进的嵌入式布线基板—— 一种灵活的扇出晶圆级封装的替代方案
9.1 技术介绍
9.1.1 C2iM技术
9.1.2 C2iM-PLP技术
9.2应用和市场
9.3封装的基本结构
9.3.1 C2iM-PLP技术经验
9.3.2 C2iM-PLP与引线键合方形扁平无引脚（WB-QFN）封装和倒装芯片QFN（FC-QFN）封装相比的优缺点
9.3.3 C2iM-PLP与WLP和FO-WLP相比的优缺点
9.3.4 未来的应用
9.3.5 C2iM-PLP的局限性
9.4 制造工艺流程及物料清单
9.5 设计规范
9.5.1 封装设计规范
9.5.2 芯片UBM设计规范
9.5.3 芯片排列设计规范
9.5.4 铜柱设计规范
9.6 系统集成能力
9.7 生产规格和可拓展性
9.8 封装性能
9.8.1 电性能
9.8.2 热性能
9.9 鲁棒性和可靠性数据
9.9.1 通过汽车可靠性认证
9.9.2 通过板级可靠性验证
9.10 电测试的思考
9.11 本章小结
第10章 采用扇出晶圆级封装的柔性混合电子
10.1引言
10.2封装的最新发展趋势
10.3?使用FO-WLP的FHE——FlexTrateTM
10.4?FlexTrateTM的应用
致谢
参考文献
第11章 基于2.5D和3D异构集成的多芯片集成电路技术：电和热设计考量及案例
11.1引言
11.2 异构互连拼接技术（HIST）
11.3 基于桥芯片2.5D集成技术的热评估
11.3.1 2.5D和3D的典型架构
11.3.2 热建模和性能
11.3.3 不同2.5D集成方案的热性能对比
11.3.4 2.5D和3D集成之间的热性能对比
11.3.5 基于桥接芯片2.5D集成的热研究
11.3.6 多片式3D集成
11.4 高功率
前 言
自2019年2月我们发表《嵌入式和扇出晶圆级封装技术进展》(Wiley出版社)以来，嵌入式和扇出封装技术已经取得了很大进展。这些封装技术已经变得更加普遍。过去，它们仅用于移动无线设备，如智能手机、手机和平板电脑，而现在，它们已成为网络交换机、网络SERDESIP芯片、人工智能、5G和汽车解决方案。由于这一革命性的进步仅用了三年时间，我们认为有必要发布嵌入式和扇出晶圆和面板级封装技术领域的新进展高级应用领域的技术：2022年的高性能计算和系统级封装(Wiley出版社)。
这本共11章的出版物以Yole Dédevelopment题为“扇出晶圆和面板级封装市场和技术趋势”的市场分析开始，涵盖了这一激动人心的新技术的过去和未来。本书独具特色的第二章是SavanSys Solutions LLC公司提供的成本分析。本出版物的另一个独特之处是台积电（TSMC）的两个章节，详细介绍了他们的集成扇出技术在手机和高性能计算空间中的应用信息。Deca科技公司再次出现在本书中，详细介绍了他们在M系列设计规则和从300毫米圆形扩大到大型面板制造技术方面的进展。然后，弗劳恩霍夫IZM在第6章详细介绍了他们的面板技术。本书随后重点介绍了日月光集团、AT&S公司和凤凰先锋科技公司的嵌入式技术。最后，最后两章是由加州大学洛杉矶分校和佐治亚理工学院的未来封装技术的思想领袖所写。
这本共11章的出版物以Yole Dédevelopment题为“扇出晶圆和面板级封装市场和技术趋势”的市场分析开始，涵盖了这一激动人心的新技术的过去和未来。本书独具特色的第二章是SavanSys Solutions LLC公司提供的成本分析。本出版物的另一个独特之处是台积电（TSMC）的两个章节，详细介绍了他们的集成扇出技术在手机和高性能计算空间中的应用信息。Deca科技公司再次出现在本书中，详细介绍了他们在M系列设计规则和从300毫米圆形扩大到大型面板制造技术方面的进展。然后，弗劳恩霍夫IZM在第6章详细介绍了他们的面板技术。本书随后重点介绍了日月光集团、AT&S公司和凤凰先锋科技公司的嵌入式技术。最后，最后两章是由加州大学洛杉矶分校和佐治亚理工学院的未来封装技术的思想领袖所写。
贝思·凯瑟
斯蒂芬·克罗纳特
评论
还没有评论。