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开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787301275177丛书名: 中外物理学精品书系
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金属有机物气象外延是目前生长金属有机物材料*普遍的方法，应用极为广泛。《金属有机物气相外延——理论与实践 （第二版）》的原作者是该领域世界上屈指可数的专家，译者也是国内该领域的著名学者。本书内容充实、讲解细致，无论对初学者还是专业研究人员都极有价值。
内容简介
《金属有机物气相外延——理论与实践 （第二版）》作为金属有机物气相外延（OMVPE或MOCVD）基础理论和应用实践方面的教学参考书，适用于材料物理，材料化学和电子专业的本科生和研究生。同时也适合作为OMVPE生产和研发人员的工具书。本书章首先总揽了OMVPE的生长过程，并和其他的外延工艺做细致的比较。第二到第六章则分别论述了OMVPE生长的各个方面：热力学（第二章），表面物理过程（第三章），反应源（第四章），动力学（第五章）以及流体力学和质量输运（第六章）。这些论述不但包括基本的模型论述，还包括主要研究进展以及发展的趋势，内容丰富。第七章讨论了OMVPE生长过程的设计，包括动力学限制及高温区的生长，同时也对整体的OMVPE过程进行设计。第八章则介绍了诸如GaAs，InP，GaN等特定的材料。第九章介绍了超晶格结构，第十章则对OMVPE生长的器件进行了论述。
目 录
章 OMVPE方法概述…………………………………………………… １
１．１ 引言………………………………………………………………………… １
１．２ 外延技术的比较…………………………………………………………… ２
１．３ OMVPE生长过程概述…………………………………………………… ７
参考文献………………………………………………………………………… １４
第二章 热力学………………………………………………………………… １６
２．１ 相平衡的热力学基础……………………………………………………… １７
２．２ 相图………………………………………………………………………… ３４
２．３ 外延生长的热力学驱动力………………………………………………… ６０
２．４ 固态组分………………………………………………………………… ６５
２．５ 四元系……………………………………………………………………… ８１
２．６ 表面热力学……………………………………………………………… ８２
参考文献………………………………………………………………………… ８９
第三章 表面物理过程………………………………………………………… ９９
３．１ 引言………………………………………………………………………… ９９
３．２ 表面测量技术…………………………………………………………… １００
３．３ 表面特性的直接观测…………………………………………………… １０５
３．４ 原子级生长过程………………………………………………………… １０８
３．５ 表面过程对OMVPE生长的影响……………………………………… １２２
参考文献………………………………………………………………………… １２６
第四章 源物质………………………………………………………………… １３１
４．１ 引言……………………………………………………………………… １３１
４．２ II族源…………………………………………………………………… １４０
４．３ III族有机源…………………………………………………………… １４１
４．４ V 族有机源……………………………………………………………… １４７
４．５ VI族源…………………………………………………………………… １６８
４．６ 金属有机掺杂源………………………………………………………… １７３
参考文献………………………………………………………………………… １７５
第五章 动力学………………………………………………………………… １８６
５．１ 背景……………………………………………………………………… １８６
５．２ OMVPE生长过程……………………………………………………… １９４
５．３ 单相热解反应…………………………………………………………… １９７
５．４ 多相热解反应…………………………………………………………… ２４０
５．５ 有序……………………………………………………………………… ２４６
参考文献……………………………………………………………………… ２５２
第六章 流体力学与质量输运……………………………………………… ２６２
６．１ 引言……………………………………………………………………… ２６２
６．２ OMVPE的完全流体力学处理………………………………………… ２６３
６．３ 边界层模型……………………………………………………………… ２７１
６．４ 卧式OMVPE反应室近似分析方法…………………………………… ２７２
６．５ 反应室设计应用………………………………………………………… ２７６
参考文献……………………………………………………………………… ２７７
第七章 OMVPE生长过程设计…………………………………………… ２７９
７．１ OMVPE生长的综合模型……………………………………………… ２７９
７．２ 动力学限制的生长……………………………………………………… ２８２
７．３ 中等温度下所有气压范围内的生长过程……………………………… ３０１
７．４ 高温区…………………………………………………………………… ３０６
７．５ II/VI族化合物的OMVPE生长……………………………………… ３０７
７．６ 总体工艺过程设计……………………………………………………… ３１５
参考文献………………………………………………………………………… ３３１
第八章 OMVPE生长的材料……………………………………………… ３４０
８．１ GaAs……………………………………………………………………… ３４０
８．２ AlGaAs ………………………………………………………………… ３５２
８．３ GaInAs,AlInAs和AlGaInAs ………………………………………… ３６０
８．４ InP ……………………………………………………………………… ３６４
８．５ GaP,GaInP,AlGaInP …………………………………………………… ３７０
８．６ As/P合金………………………………………………………………… ３７５
８．７ 锑化物及其合金………………………………………………………… ３８０
８．８ III/V 族氮化物,AlGaInN ……………………………………………… ３９１
８．９ III/V 族半导体的选区生长……………………………………………… ３９８
８．１０ II/VI族半导体………………………………………………………… ３９９
８．１１ IV 族半导体…………………………………………………………… ４０４
２ 金属有机物气相外延(第二版)
８．１２ 非半导体材料…………………………………………………………… ４０５
参考文献………………………………………………………………………… ４０８
第九章 超晶格………………………………………………………………… ４２６
９．１ AlGaAs/GaAs…………………………………………………………… ４２９
９．２ GaInAs/InP ……………………………………………………………… ４３４
９．３ AlGaInP/GaInP ………………………………………………………… ４３８
９．４ GaInAs/GaAs …………………………………………………………… ４４０
９．５ AlGaInN ………………………………………………………………… ４４３
９．６ 应变层超晶格…………………………………………………………… ４４４
９．７ Si衬底上的GaAs ……………………………………………………… ４４５
９．８ SiGe合金………………………………………………………………… ４４６
９．９ II/VI化合物……………………………………………………………… ４４７
９．１０ 掺杂超晶格……………………………………………………………… ４４９
９．１１ 原子层外延(ALE)……………………………………………………… ４５０
参考文献………………………………………………………………………… ４５４
第十章 器件…………………………………………………………………… ４６２
１０．１ 注入式激光器和LED ………………………………………………… ４６３
１０．２ 光电二极管……………………………………………………………… ４７９
１０．３ 电子开关器件…………………………………………………………… ４８１
１０．４ 太阳能电池……………………………………………………………… ４８６
１０．５ 总结……………………………………………………………………… ４８８
参考文献………………………………………………………………………… ４８８
文中缩略语……………………………………………………………………… ４９７
金属有机源分子符号………………………………………………………… ５００
索引……………………………………………………………………………… ５０２
１．１ 引言………………………………………………………………………… １
１．２ 外延技术的比较…………………………………………………………… ２
１．３ OMVPE生长过程概述…………………………………………………… ７
参考文献………………………………………………………………………… １４
第二章 热力学………………………………………………………………… １６
２．１ 相平衡的热力学基础……………………………………………………… １７
２．２ 相图………………………………………………………………………… ３４
２．３ 外延生长的热力学驱动力………………………………………………… ６０
２．４ 固态组分………………………………………………………………… ６５
２．５ 四元系……………………………………………………………………… ８１
２．６ 表面热力学……………………………………………………………… ８２
参考文献………………………………………………………………………… ８９
第三章 表面物理过程………………………………………………………… ９９
３．１ 引言………………………………………………………………………… ９９
３．２ 表面测量技术…………………………………………………………… １００
３．３ 表面特性的直接观测…………………………………………………… １０５
３．４ 原子级生长过程………………………………………………………… １０８
３．５ 表面过程对OMVPE生长的影响……………………………………… １２２
参考文献………………………………………………………………………… １２６
第四章 源物质………………………………………………………………… １３１
４．１ 引言……………………………………………………………………… １３１
４．２ II族源…………………………………………………………………… １４０
４．３ III族有机源…………………………………………………………… １４１
４．４ V 族有机源……………………………………………………………… １４７
４．５ VI族源…………………………………………………………………… １６８
４．６ 金属有机掺杂源………………………………………………………… １７３
参考文献………………………………………………………………………… １７５
第五章 动力学………………………………………………………………… １８６
５．１ 背景……………………………………………………………………… １８６
５．２ OMVPE生长过程……………………………………………………… １９４
５．３ 单相热解反应…………………………………………………………… １９７
５．４ 多相热解反应…………………………………………………………… ２４０
５．５ 有序……………………………………………………………………… ２４６
参考文献……………………………………………………………………… ２５２
第六章 流体力学与质量输运……………………………………………… ２６２
６．１ 引言……………………………………………………………………… ２６２
６．２ OMVPE的完全流体力学处理………………………………………… ２６３
６．３ 边界层模型……………………………………………………………… ２７１
６．４ 卧式OMVPE反应室近似分析方法…………………………………… ２７２
６．５ 反应室设计应用………………………………………………………… ２７６
参考文献……………………………………………………………………… ２７７
第七章 OMVPE生长过程设计…………………………………………… ２７９
７．１ OMVPE生长的综合模型……………………………………………… ２７９
７．２ 动力学限制的生长……………………………………………………… ２８２
７．３ 中等温度下所有气压范围内的生长过程……………………………… ３０１
７．４ 高温区…………………………………………………………………… ３０６
７．５ II/VI族化合物的OMVPE生长……………………………………… ３０７
７．６ 总体工艺过程设计……………………………………………………… ３１５
参考文献………………………………………………………………………… ３３１
第八章 OMVPE生长的材料……………………………………………… ３４０
８．１ GaAs……………………………………………………………………… ３４０
８．２ AlGaAs ………………………………………………………………… ３５２
８．３ GaInAs,AlInAs和AlGaInAs ………………………………………… ３６０
８．４ InP ……………………………………………………………………… ３６４
８．５ GaP,GaInP,AlGaInP …………………………………………………… ３７０
８．６ As/P合金………………………………………………………………… ３７５
８．７ 锑化物及其合金………………………………………………………… ３８０
８．８ III/V 族氮化物,AlGaInN ……………………………………………… ３９１
８．９ III/V 族半导体的选区生长……………………………………………… ３９８
８．１０ II/VI族半导体………………………………………………………… ３９９
８．１１ IV 族半导体…………………………………………………………… ４０４
２ 金属有机物气相外延(第二版)
８．１２ 非半导体材料…………………………………………………………… ４０５
参考文献………………………………………………………………………… ４０８
第九章 超晶格………………………………………………………………… ４２６
９．１ AlGaAs/GaAs…………………………………………………………… ４２９
９．２ GaInAs/InP ……………………………………………………………… ４３４
９．３ AlGaInP/GaInP ………………………………………………………… ４３８
９．４ GaInAs/GaAs …………………………………………………………… ４４０
９．５ AlGaInN ………………………………………………………………… ４４３
９．６ 应变层超晶格…………………………………………………………… ４４４
９．７ Si衬底上的GaAs ……………………………………………………… ４４５
９．８ SiGe合金………………………………………………………………… ４４６
９．９ II/VI化合物……………………………………………………………… ４４７
９．１０ 掺杂超晶格……………………………………………………………… ４４９
９．１１ 原子层外延(ALE)……………………………………………………… ４５０
参考文献………………………………………………………………………… ４５４
第十章 器件…………………………………………………………………… ４６２
１０．１ 注入式激光器和LED ………………………………………………… ４６３
１０．２ 光电二极管……………………………………………………………… ４７９
１０．３ 电子开关器件…………………………………………………………… ４８１
１０．４ 太阳能电池……………………………………………………………… ４８６
１０．５ 总结……………………………………………………………………… ４８８
参考文献………………………………………………………………………… ４８８
文中缩略语……………………………………………………………………… ４９７
金属有机源分子符号………………………………………………………… ５００
索引……………………………………………………………………………… ５０２
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