CMOS模拟集成电路分析与设计（第2版）

　　本书是普通高等教育“十一五”*规划教材。本书分析了CMOS模拟集成电路设计理论与技术，全书由17章组成。从CMOS器件物理及高阶效应出发，介绍了CMOS模拟集成电路的基础，然后分别介绍了模拟集成电路中的各种电路模块：基本放大器、恒流源电路、差分放大器、运算放大器、基准电压源、开关电容电路、集成电压比较器、数/模转换与模/数转换、振荡器与锁相环等。另外，还分析了CMOS模拟集成电路的频率响应、稳定性、运算放大器的频率补偿及其反馈电路特性，以及噪声与非线性。

第1章  基本MOS器件物理
  1.1  有源器件
    1.1.1  MOS管结构与几何参数
    1.1.2  MOS管的工作原理及表示符号
    1.1.3  MOS管的高频小信号电容
    1.1.4  MOS管的电特性
    1.1.5  二阶效应
    1.1.6  MOS管交流小信号模型
    1.1.7  有源电阻
  1.2  无源器件
    1.2.1  电阻
    1.2.2  电容
  1.3  短沟道效应
    1.3.1  按比例缩小
    1.3.2  短沟道效应
  1.4  MOS器件模型
第2章  单级放大器
第3章  恒流源电路
第4章  差分放大器
第5章  放大器的频率响应
第6章  反馈
第7章  噪声
第8章  运算放大器
第9章  运算放大器的频率补偿
第10章  开关电容电路
第11章  放大器的非线性失真
第12章  基准电压源
第13章  集成电压比较器
第14章  D/A、A/D转换器
第15章  振荡器与锁相环
第16章  版图设计技术
第17章  工程设计
参考文献

本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。
CMOS工艺技术的飞速发展，在集成电路制造产业中占有越来越重要的地位，而其中的CMOS模拟集成电路也因此得以快速发展。CMOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统，迎合了当前模拟电路的发展趋势。
本书作为教材，着重讨论了CMOS模拟集成电路分析与设计的基础知识，并介绍了新技术与新理论，深入浅出地对CMOS模拟集成电路中的主要模块电路进行了较为详尽的分析，并力求理论与实际相结合，使学生经过本教材的学习能真正了解CMOS模拟集成电路的分析与设计方法，掌握CMOS模拟集成电路中的主要模块的设计基础，为进行模拟电路的设计打下基础。
本书共分为三部分：第一部分是第1章CMOS模拟集成电路基础，重点介绍了CMOS器件物理、二阶效应、等比例缩小及高阶效应。第二部分介绍CMOS模拟集成电路中的主要电路模块——第2章介绍了单级放大器：共源、共栅、源极跟随器、共源共栅放大器等；第3章分析了恒流源电路设计技术；第4章对差分放大器进行了详尽的分析；第8章分析了运算放大器的特点及设计方法，包括单级放大器与多级放大器；第10章对开关电容电路进行研究，并介绍开关电容电路的主要应用；第12章是基准电压源的设计，重点分析带隙基准电压源的设计技术；第13章介绍集成电压比较器的设计与分析；第14章研究数/模转换电路与模/数转换电路，第15章是关于集成振荡器与锁相环的设计。第三部分介绍CMOS模拟集成电路中必须考虑的其他特性——第5章分析放大器的频率响应，第9章是有关运算放大器频率补偿的设计；第6章分析反馈放大器特性；第7章介绍电路噪声的分析方法及电路中的主要噪声；第11章分析电路的非线性及其消除技术。
本次修订在第1版的基础上增加了较多的例题以促进读者对于所学理论的直观认识，同时增加了一些新的电路及分析设计方法。
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心的师生以及电子工程系的老师对本书的修订给予了大力支持与帮助，特别是茅盘松教授与谢世健教授的大力支持，在此表示深深的谢意。
由于CMOS模拟集成电路技术发展迅速，且作者水平有限，书中所介绍的内容难免有不足和错误之处，希望读者批评指正。