集成电路先进封装工艺——Cu-Cu键合技术

微电子封装中的互连键合是集成电路(integrated circuits，IC)后道制造中关键和难度的环节，直接影响集成电路本身电性能、光性能和热性能等物理性能，很大程度上也决定IC产品小型化、功能化、可靠性和成本。然而，随着封装密度增加，器件功率增加，Cu凸点面临尺寸大幅减小并且互连载流量大幅增加等现状，产业界成熟的Cu-Cu键合方法已很难适应高密封装的快速发展，研发更先进的Cu-Cu键合技术并推向产业化是当前迫在眉睫的需求。 针对电子封装行业中所面临的技术需求，本书系统介绍了国内外Cu-Cu键合技术的研究现状，结合作者及课题组全体研究人员长期在微电子封装领域的研究积累，梳理了基于表面活化的Cu-Cu键合、基于金属纳米焊料的Cu-Cu、基于自蔓延反应放热的Cu-Cu键合以及先进键合技术在Cu凸点互连中的应用等多个热点研究内容，并在实验方法、工艺优化、理论研究等多个方面进行了深入探讨。 本书全面、深入地介绍了集成电路封装中先进的Cu-Cu键合技术和的研究进展，可供高年级本科生、研究生以及从事集成电路封装与互连/键合工艺研究的技术人员参考和阅读。