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首页工业技术电子通信Empyrean模拟集成电路设计与工程

Empyrean模拟集成电路设计与工程

作者:胡远奇 王昭昊 出版社:人民邮电出版社 出版时间:2024年07月 

ISBN: 9787115636195
年中特卖用“SALE15”折扣卷全场书籍85折!可与三本88折,六本78折的优惠叠加计算!全球包邮!
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EUR €53.99

类别: 工业技术 新书热卖榜, 电子通信 SKU:66afab7cf0f2243a371ba7a9 库存: 有现货
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描述

开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装-胶订是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787115636195丛书名: 集成电路科学与工程前沿

编辑推荐

聚焦核心理论与技术,模拟复现与创新设计相结合。通过“先仿复现、后创新设计”的教学思路,帮助读者深入理解并掌握集成电路的基础知识和设计理念。

引入工程技术思路,介绍产业发展趋势。广泛纳入模拟集成电路的工程技术思路,帮助读者理解产业与工程设计的内在联系。

基于国产EDA工具,培养工程实践能力。采用华大九天Empyrean工具进行教学和实验,提供更加贴近产业实际的教学环境。

 

内容简介

本书着重介绍模拟集成电路的核心特性和设计方法,理论部分简要介绍拟集成电路涉及的公式和原理,通过仿真案例为教学打下基础,确保读者能够“知其然,知其所以然”。本书以“先模仿复现、后创新设计”的思路设置了不同难度的仿真练习,并详细介绍操作流程,使读者可以自主完成相应的仿真实验,从而掌握集成电路设计思路逐步培养全局规划能力和工程思维方式,为后续深入学习高阶模拟集成电路课程奠定坚实的基础。

本书适合电子信息和集成电路相关专业本科生和研究生阅读,也可为模拟集成电路技术发烧友提供有益参考。

作者简介

胡远奇 长期从事高精度数模混合集成电路设计工作。2015年获英国帝国理工学院博士学位,2015—2018年担任芯片企业Cirrus Logic的研发设计师,2018年入职北京航空航天大学,获评国 家级青年人才。主持国家自然科学基金区域联合重点项目等7个项目,发表论文20余篇。担任国家“十四五”重点研发计划“微纳电子技术”重点专项总体专 家组成员、IEEE TBiOCAS 编委及IEEECAS传感系统技术委员会委员等。 王昭昊 长期从事存储器及集成电路教学科研工作。2015年获法国巴黎萨克雷大学物理学博士学位,2016年入职北京航空航天大学。主讲本科生核心专业课“模拟集成电路基础”,以第 一作者或通信作者身份发表学术论文60余篇,获30余项发明专利授权,转让专利4项。获北京市高等教育教学成果二等奖、中国电子学会自然科学一等奖等。

目  录

第 1 章 绪论 1

1.1 经典的模拟集成电路 1

1.2 模拟集成电路的主要推动力 2

1.3 CMOS 技术与工艺 3

1.4 设计技巧与工程思想 3

1.5 电路仿真工具: 华大九天Empyrean 4

第 2 章 MOSFET 物理特性 6

2.1 MOSFET 的基本伏安特性 6

2.1.1 原理简介 6

2.1.2 仿真实验: MOSFET 的伏安特性曲线 7

2.1.3 仿真实验: MOSFET 的二级效应 14

2.2 MOSFET 的小信号模型 21

2.2.1 小信号模型的理论依据 21

2.2.2 仿真实验: MOSFET 的小信号参数测试 24

2.3 MOSFET 的几种常见连接方式 33

2.3.1 MOSFET 的二极管连接方式 33

2.3.2 MOSFET 的电流源连接方式 34

2.3.3 仿真实验:二极管连接型MOSFET 和电流源连接型 MOSFET 34

2.4 课后练习 37

第 3 章 CMOS 单级放大器 38

3.1 共源放大器 38

3.1.1 以电阻为负载的共源放大器 38

3.1.2 推挽放大器 41

3.1.3 带源极负反馈的共源放大器 42

3.1.4 仿真实验:共源放大器 43

3.2 源跟随器 51

3.2.1 源跟随器的基础理论 52

3.2.2 仿真实验:源跟随器仿真 53

3.3 共栅放大器 56

3.3.1 共栅放大器的基础理论 56

3.3.2 仿真实验:共栅放大器的仿真 57

3.4 共源共栅放大器 60

3.4.1 共源共栅放大器的基础理论 61

3.4.2 仿真实验:共源共栅放大器的仿真 62

3.5 课后练习 65

第 4 章 CMOS 差分放大器 66

4.1 基本差分对 66

4.1.1 基本差分对的直流分析 67

4.1.2 仿真实验:基本差分对的直流特性分析 68

4.1.3 半边电路法 71

4.1.4 仿真实验:基本差分对的小信号特性分析 73

4.2 共模响应 76

4.2.1 尾电流源阻抗的影响 76

4.2.2 MOSFET 失配的影响 78

4.2.3 仿真实验:差分放大器的共模响应 78

4.3 课后练习 84

第 5 章 电流镜与偏置电路 85

5.1 电流镜的工作原理 85

5.1.1 基本电流镜 85

5.1.2 共源共栅电流镜 87

5.1.3 仿真实验:电流镜的特性曲线 88

5.2 高输出摆幅的共源共栅电流镜 91

5.2.1 共源共栅电流镜摆幅分析 91

5.2.2 两种高输出摆幅的共源共栅电流镜 91

5.2.3 仿真实验:高输出摆幅的共源共栅电流镜 94

5.3 电流镜用作有源负载 96

5.3.1 有源负载的原理 96

5.3.2 仿真实验:以电流镜作为负载的差分放大器 98

5.4 偏置电路 103

5.4.1 恒定跨导偏置电路 104

5.4.2 仿真实验:恒定跨导偏置电路 106

5.5 课后练习 111

第 6 章 频率响应 112

6.1 频域分析的基础理论 112

6.1.1 零点和极点 112

6.1.2 波特图 114

6.1.3 仿真实验:二阶系统的幅频响应 116

6.2 共源放大器的频率特性 121

6.2.1 MOSFET 电容 121

6.2.2 小信号分析法 121

6.2.3 近似分析 123

6.2.4 特征频率 125

6.2.5 仿真实验:共源放大器的频率响应 126

6.3 课后练习 131

第 7 章 MOSFET 的进阶特性 132

7.1 弱反型区 132

7.1.1 理论分析与模型 132

7.1.2 仿真实验: MOSFET 的弱反型区 134

7.2 速度饱和区 138

7.2.1 理论分析与模型 138

7.2.2 仿真实验: MOSFET 的速度饱和区 140

7.3 共源放大器的特征频率 142

7.3.1 跨区域特征频率估算 142

7.3.2 仿真实验:共源放大器的特征频率 144

7.4 跨区域的工程设计方法论 147

7.4.1 gm/ID 方法论 147

7.4.2 仿真实验: gm/ID 工程设计方法 148

7.5 课后练习 150

第 8 章 反馈与稳定性 151

8.1 反馈与稳定性问题 151

8.1.1 开环增益、闭环增益与环路增益 151

8.1.2 运算放大器的反馈 152

8.1.3 运算放大器的稳定性 154

8.1.4 仿真实验:相位裕度的测量 159

8.2 有源负载差分对的稳定性 164

8.2.1 有源负载差分对 164

8.2.2 仿真实验:有源负载差分对的频率特性 166

8.3 课后练习 169

第 9 章 密勒运算放大器的系统性设计 170

9.1 两级运算放大器的稳定性问题 170

9.1.1 两级运算放大器的级联 170

9.1.2 极点分离技术 171

9.1.3 正零点补偿技术 173

9.1.4 仿真实验:两级运算放大器中的密勒补偿 176

9.2 密勒运算放大器的系统性设计方法 179

9.2.1 运算放大器的系统性设计思路 179

9.2.2 仿真实验:运算放大器系统性设计方法 182

9.3 课后练习 184

第 10 章 噪声 185

10.1 晶体管的噪声 185

10.1.1 热噪声 185

10.1.2 闪烁噪声 188

10.1.3 噪声带宽 189

10.1.4 仿真实验: MOSFET噪声特性的标定 190

10.2 电路系统中的噪声优化 193

10.2.1 噪声的等效转换 193

10.2.2 仿真实验:五管 OTA 的噪声优化 198

10.3 课后练习 201

第 11 章 失调与共模抑制比 202

11.1 失调的来源 202

11.1.1 随机性失调 202

11.1.2 电路中失调因素的转换 205

11.1.3 系统性失调 206

11.1.4 仿真实验:五管 OTA 的输入等效失调电压优化 207

11.2 共模抑制比 210

11.2.1 随机性共模抑制比 211

11.2.2 系统性共模抑制比 214

11.2.3 共模抑制比的仿真测量方法 218

11.2.4 仿真实验:五管 OTA 的共模抑制比设计与优化 219

11.3 课后练习 223

附录 本书 180 nm 工艺下 gm/ID仿真图 224

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