描述
开 本: 16开纸 张: 胶版纸包 装: 平装-胶订是否套装: 否国际标准书号ISBN: 9787111777731
在当下，中国半导体产业正面临着严峻的“卡脖子”困境，关键技术的受限成为产业前行路上的巨大阻碍。而《半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲》这本书，恰似黑暗中的一盏明灯，为我们突破困境带来了希望与助力。 本书聚焦半导体微缩图形化与光刻技术，这恰是半导体制造的核心环节，也是中国半导体产业被“卡脖子”的关键领域。书中全面且深入地阐述了从光刻机到下一代光刻技术的发展路径，从光刻胶材料到多重图形化技术的精妙之处。例如，对光掩膜从起源到制造工艺及未来挑战的细致讲解，能让我们清晰洞察这一关键技术的来龙去脉；对EUV光刻技术、电子束刻蚀技术等下一代光刻技术发展趋势的深度剖析，为我们探索新的技术突破方向提供了思路；在光刻胶材料技术上，含金属光刻胶等内容的介绍，有助于我们在材料研发上寻求创新。 本书的作者团队汇聚了冈崎信次等众多来自国际知名企业与科研机构的权威专家。他们丰富的经验与前沿的研究成果，为书中内容注入了强大的专业力量。 对于中国半导体行业的从业者而言，研读此书是打破技术封锁的重要一步。它能帮助我们深入理解相关技术原理与发展方向，启发我们在受限领域进行自主创新，为实现中国半导体关键技术的突破，推动产业迈向自主可控的未来提供坚实的知识支撑，是当下产业攻坚克难不可或缺的专业读物。
本书从光刻机到下一代光刻技术，从光刻胶材料到多重图形化技术，全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。本书共14章，内容包括光掩膜、下一代光刻技术发展趋势、EUV掩膜技术、纳米压印技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装（DSA）技术、光刻胶材料的发展趋势、含金属光刻胶材料技术、多重图形化中的沉积和刻蚀技术、光散射测量技术、扫描探针显微镜技术、基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术、MEMS技术的微缩图形化应用、原子级低损伤高精度刻蚀等。
本书适合有一定半导体相关知识的从业者阅读。
目 录
主编·作者名单
绪 言 半导体微缩图形化技术与光刻技术
?1?? 引言
?2?? 微缩化的指导原则及其效果
?3?? 光刻技术的发展及其困难
?4?? 下一代光刻技术及未来发展
第 1 章 光掩膜
1.1 引言
1.2 光掩膜的起源
1.3 光掩膜的结构
1.4 光掩膜的制造工艺
1.5 掩膜版的挑战及未来展望
第 2 章 下一代光刻技术发展趋势
2.1 下一代光刻技术
2.2 EUV光刻技术
2.3 电子束刻蚀技术
2.4 纳米压印技术
2.5 定向自组装（Directed Self Assembly）技术
第 3 章 EUV掩膜技术
3.1 EUV掩膜版制造技术
3.2 掩膜技术
第 4 章 纳米压印技术
4.1 纳米压印设备
4.2 纳米压印模板技术
第 5 章 电子束刻蚀技术与设备开发
5.1 可变形电子束刻蚀设备
5.2 多电子束刻蚀设备
第 6 章 定向自组装（DSA）技术
6.1 引言
6.2 DSA技术中聚合物的自组装
6.3 DSA工艺的基本步骤
6.4 DSA工艺相关材料
6.5 DSA工艺的模拟
6.6 DSA技术的优势和挑战
6.7 结语
第 7 章 光刻胶材料的发展趋势
7.1 引言
7.2 光刻胶技术的转折点
7.3 曝光波长的缩短和光刻胶的光吸收
7.4 显影液的演变
7.5 感光胶的感光机制演变及对比度提高
7.6 分辨率限制与分子尺寸的考察
7.7 结语
第 8 章 含金属光刻胶材料技术
8.1 初期的含金属光刻胶
8.2 EUV含金属光刻胶的特点
8.3 康奈尔大学、昆士兰大学、EIDEC的含金属光刻胶
8.4 含金属光刻胶的构成
8.5 俄勒冈州立大学、Inpria公司、IMEC的含金属光刻胶
8.6 其他含金属光刻胶
8.7 含金属光刻胶的功能提升
第 9 章 多重图形化中的沉积和刻蚀技术
9.1 多重图形化中沉积和刻蚀技术的作用
9.2 沉积技术
9.3 刻蚀技术
9.4 结语
第 10 章 光散射测量技术
10.1 引言
10.2 半导体光刻技术
10.3 反射光测量技术
10.4 散射计
10.5 优化方法
10.6 光散射测量分析的实例
10.7 结语
第 11 章 扫描探针显微镜技术
11.1 引言
11.2 AFM的原理
11.3 各种SPM技术
11.4 SPM的特点
11.5 SPM的应用
11.6 结语
第 12 章 基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术
12.1 引言
12.2 X射线散射
12.3 小角度X射线散射的测量方法
12.4 测量示例
12.5 结语
第 13 章 MEMS技术的微缩图形化应用
13.1 引言
13.2 EUV光源滤波器
13.3 基于有源矩阵纳米硅电子源的超大规模平行电子束刻蚀
13.4 结语
第 14 章 先进刻蚀技术概要?原子级低损伤高精度刻蚀
14.1 引言
14.2 中性粒子束生成装置
14.3 22nm节点之后的纵向鳍式场效应晶体管
14.4 无缺陷纳米结构及其特性
14.5 原子层面的表面化学反应控制
14.6 结语
半导体技术水平不仅关乎我国科技实力和国际地位，更是经济增长、产业升级和国家安全的重要保障。光刻技术是半导体制造中的关键环节，对提升芯片性能、降低成本、推动技术创新及拓展应用领域均具有重要意义。本书基于丰富的工程经验详细介绍了半导体光刻技术，用于培养未来高水平光刻技术工程技术人员。
中国电子科技集团第五十五研究所副主任设计师 黄润华
全书系统阐述光刻技术革新，深入剖析从光刻机到多重图形化技术的每一步进展，助力读者洞悉纳米级加工精髓与产业未来趋势，适合专业人士研读。
怀柔实验室北京智慧能源研究院资深技术专家 教授级高级工程师 李哲洋
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。随着集成电路进入纳米时代，光刻技术在半导体制造中扮演了越来越关键的角色。持续的技术创新和优化是保持光刻技术出色的关键。
浙江大学电气工程学院应用电子学系副主任 郭清
大力发展半导体前沿科技是人工智能时代的国家战略。本书深度剖析了芯片制造的核心原理与进展，系统梳理了当前光刻技术的瓶颈与挑战，深入探讨了这些新技术在提升芯片集成度、降低成本，以及加速产品迭代等方面的巨大潜力。无论您是半导体行业的专业人士，还是对芯片科技充满好奇的爱好者，这本书都将是您深入理解半导体制造的前沿技术奥秘的宝贵资源。它不仅能够拓宽您的技术视野，更能激发您对未来科技发展的无限遐想。
信息通信行业专家 华为公司原市场营销总监 李翔宇
目前全球光刻机市场规模已经接近300亿美元，而其中高端市场完全被国外厂商垄断。在复杂的国际形势下，光刻机设备和工艺的国产化道路任重道远。本书全面介绍了光刻机行业当前的发展趋势和技术水平，为我国相关领域的专业人员树立了目标和方向，也为科技金融投资提供了重要参考，希望能给我国半导体领域的发展注入新的动力。
毅达资本合伙人 周喆
这是一本全景式、有深度的光刻和图形化技术专著，对相关学术界、产业界和关心未来技术发展的各类人士理解光刻技术、扩大技术视野很有帮助。
清华大学集成电路学院 刘泽文教授。
光刻技术是半导体行业的核心技术，集物理、化学、计算机、机械等多门学科的高端技术于一体。本书向我们详细介绍了光刻机的工作原理和其中的技术要点，尤其是为我们揭开了近两年非常热门的话题——”EUV光刻机”的神秘面纱。我推荐广大理工科学生和科技爱好者都来读这本书，积累专业知识，树立科学理想，共同实现科技强国之梦。
南京邮电大学工程实验教学部主任 程勇
随着后摩尔时代的来临，集成电路工艺在经历从几何微缩到等效微缩后，器件从二维平面结构走向立体三维结构，在这一进程中光刻技术无疑是创新的核心关键。本书从光刻机原理到下一代光刻技术，从材料到图形化，全面剖析每一步技术革新作为推动半导体产业的源动力。本书由来自日本产业界和学术界的资深专家组倾力编写，适合高校微电子专业高年级本科生和研究生，以及具有一定半导体基础知识的从业者阅读。
南京大学电子科学与工程学院 教授刘斌
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